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TL5580IDR

TL5580IDR

TI(德州仪器) 主动器件

双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER

General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SOIC


立创商城:
TL5580IDR


德州仪器TI:
Dual, 32-V, 12-MHz, low noise 7-nV/√Hz operational amplifier


得捷:
TL5580 DUAL 12MHZ, LOW-NOISE WID


贸泽:
精密放大器 Dual Low-Noise Wide- BW Precision Amp


艾睿:
OP Amp Dual GP ±16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP ±16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Low-Noise Wide-Bandwidth Precision Amplifier OP Amp Dual GP ±16V 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Op Amp Dual Low Noise Amplifier ±16V 8-Pin SOIC T/R


TL5580IDR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 6 mA

电路数 2

通道数 2

共模抑制比 90 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K

带宽 12.0 MHz

转换速率 5.00 V/μs

增益频宽积 12 MHz

输入补偿电压 300 µV

输入偏置电流 100 nA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 12 MHz

共模抑制比Min 90 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TL5580IDR引脚图与封装图
TL5580IDR引脚图

TL5580IDR引脚图

TL5580IDR封装图

TL5580IDR封装图

TL5580IDR封装焊盘图

TL5580IDR封装焊盘图

在线购买TL5580IDR
型号 制造商 描述 购买
TL5580IDR TI 德州仪器 双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER 搜索库存
替代型号TL5580IDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TL5580IDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 12MHz 2Channel 8Pin

当前型号

双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER

当前型号

型号: TL5580IDG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 5V/us 2Channel

完全替代

精密放大器 Dual Low-Noise Wide Bndwdth Precsion Amp

TL5580IDR和TL5580IDG4的区别

型号: TL5580IDE4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 8Pin 5V/us 2Channel

完全替代

双路低噪声宽带宽精密放大器 DUAL LOW-NOISE WIDE-BANDWIDTH PRECISION AMPLIFIER

TL5580IDR和TL5580IDE4的区别

型号: TL5580ID

品牌: 德州仪器

封装: SOIC-8 8Pin 5V/us 2Channel

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