SNRVBD660CTT4G中文资料参数规格
技术参数
正向电压 700mV @3A
正向电流 6000 mA
正向电流Max 6 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
SNRVBD660CTT4G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SNRVBD660CTT4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SNRVBD660CTT4G | ON Semiconductor 安森美 | SNRVBD660CTT4G 编带 | 搜索库存 |
替代型号SNRVBD660CTT4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SNRVBD660CTT4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252-2DPAK | 当前型号 | SNRVBD660CTT4G 编带 | 当前型号 |
| 型号： NRVBD660CTG 品牌： 安森美 封装： DPAK | 完全替代 | 肖特基势垒二极管，3A 至 9A，ON Semiconductor### 标准带 NSV-、SBR- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器，ON Semiconductor | SNRVBD660CTT4G和NRVBD660CTG的区别 |
| 型号： NRVBD660CTG-VF01 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | Diode Array Schottky 60V 3A Dpak | SNRVBD660CTT4G和NRVBD660CTG-VF01的区别 |