P6SMB16AT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 16.0 V
额定功率 600 W
击穿电压 16.0 V
最大反向电压（Vrrm） 13.6V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 15.2 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
P6SMB16AT3引脚图与封装图
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在线购买P6SMB16AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6SMB16AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号P6SMB16AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6SMB16AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-214 16V 600W | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： P6SMB16AT3G 品牌： 安森美 封装： DO-214 16V 600W | 类似代替 | P6SMB 系列 16.8 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器 | P6SMB16AT3和P6SMB16AT3G的区别 |
| 型号： 1SMB14AT3G 品牌： 安森美 封装： SMB | 功能相似 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，1SMB 系列（单向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | P6SMB16AT3和1SMB14AT3G的区别 |
| 型号： P6SMB16A-E3/5B 品牌： 威世 封装： DO-214 | 功能相似 | Diode TVS Single Uni-Dir 13.6V 600W 2Pin SMB T/R | P6SMB16AT3和P6SMB16A-E3/5B的区别 |