频率 500 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
额定功率Max 1.3 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89
封装 SOT-89
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PCP1203-P-TD-H | ON Semiconductor 安森美 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1.5A 30V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PCP1203-P-TD-H 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-89 NPN | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP NPN 1.5A 30V | 当前型号 | |
型号: PCP1203-TD-H 品牌: 安森美 封装: PCP NPN 1.3W | 类似代替 | PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | PCP1203-P-TD-H和PCP1203-TD-H的区别 | |
型号: PCP1208-TD-H 品牌: 安森美 封装: SOT-89 NPN 1300mW | 功能相似 | SOT-89 NPN 200V 0.7A | PCP1203-P-TD-H和PCP1208-TD-H的区别 |