PCP1103-P-TD-H中文资料参数规格
技术参数
频率 450 MHz
极性 PNP
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V
额定功率Max 3.5 W
耗散功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PCP1103-P-TD-H引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PCP1103-P-TD-H | ON Semiconductor 安森美 | SOT-89 PNP 30V 1.5A | 搜索库存 |
替代型号PCP1103-P-TD-H
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PCP1103-P-TD-H 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-89 PNP 1.3W | 当前型号 | SOT-89 PNP 30V 1.5A | 当前型号 |
| 型号： PCP1103-TD-H 品牌： 安森美 封装： PCP PNP 1300mW | 功能相似 | PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | PCP1103-P-TD-H和PCP1103-TD-H的区别 |