MTD6N15T4GV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.25W Ta, 20W Tc
漏源极电压Vds 150 V
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
耗散功率Max 1.25W Ta, 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MTD6N15T4GV引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| MTD6N15T4GV | ON Semiconductor 安森美 | Trans Mosfet n-Ch 150V 6A 3Pin2+Tab Dpak t/r | 搜索库存 |