MC10EP58DR2G
数据手册.pdfON Semiconductor(安森美)
电子元器件分类
MC10EP58DR2G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
触点类型 SPDT
电路数 2
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC10EP58DR2G引脚图与封装图 
MC10EP58DR2G引脚图
MC10EP58DR2G封装图
MC10EP58DR2G封装焊盘图
在线购买MC10EP58DR2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC10EP58DR2G | ON Semiconductor 安森美 | 3.3V / 5V ECL 2 ： 1多路复用器 3.3V / 5V ECL 2:1 Multiplexer | 搜索库存 |
替代型号MC10EP58DR2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC10EP58DR2G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC 8Pin | 当前型号 | 3.3V / 5V ECL 2 ： 1多路复用器 3.3V / 5V ECL 2:1 Multiplexer | 当前型号 |
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| 型号： MC10EP58DR2 品牌： 安森美 封装： 8-SOIC 8Pin | 完全替代 | 3.3V / 5V ECL 2 ： 1多路复用器 3.3V / 5V ECL 2:1 Multiplexer | MC10EP58DR2G和MC10EP58DR2的区别 |