MC100EP16VBD中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC100EP16VBD引脚图与封装图 
MC100EP16VBD引脚图
MC100EP16VBD封装图
MC100EP16VBD封装焊盘图
在线购买MC100EP16VBD
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC100EP16VBD | ON Semiconductor 安森美 | 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8 | 搜索库存 |
替代型号MC100EP16VBD
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC100EP16VBD 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 8-SOIC 5V 8Pin | 当前型号 | 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8 | 当前型号 |
| 型号： MC100EP16VBDR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC | 完全替代 | 3.3V / 5V ECL差分接收器/驱动器，具有高，低增益 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High and Low Gain | MC100EP16VBD和MC100EP16VBDR2G的区别 |
| 型号： MC100EP16VBDG 品牌： 安森美 封装： SOIC 3V 8Pin | 类似代替 | ON Semiconductor### 时钟发生器/缓冲器 | MC100EP16VBD和MC100EP16VBDG的区别 |
| 型号： MC100EP16VBDR2 品牌： 安森美 封装： 8-SOIC | 类似代替 | 3.3V / 5V ECL差分接收器/驱动器，具有高，低增益 3.3V / 5V ECL Differential Receiver/Driver with High and Low Gain | MC100EP16VBD和MC100EP16VBDR2的区别 |