MJE15031G中文资料参数规格
技术参数
频率 70 MHz
额定电压DC -150 V
额定电流 -8.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 50 W
增益频宽积 30 MHz
击穿电压集电极-发射极 150 V
热阻 2.5℃/W RθJC
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 2V
额定功率Max 50 W
直流电流增益hFE 40
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 50000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.28 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 音频, Audio
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE15031G引脚图与封装图 
MJE15031G引脚图
MJE15031G封装图
MJE15031G封装焊盘图
在线购买MJE15031G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE15031G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MJE15031G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE15031G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -150V -8A 50000mW | 当前型号 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MJE15031 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 -150V -8A | 完全替代 | 功率晶体管互补硅 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON | MJE15031G和MJE15031的区别 |
| 型号： KSA940TU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 PNP -150V -1.5A 1500mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSA940TU 单晶体管 双极, PNP, -150 V, 4 MHz, 25 W, -1.5 A, 40 hFE | MJE15031G和KSA940TU的区别 |