MBR30H100MFST3G中文资料参数规格
技术参数
正向电压 900mV @30A
正向电流Max 30 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
MBR30H100MFST3G引脚图与封装图
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在线购买MBR30H100MFST3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBR30H100MFST3G | ON Semiconductor 安森美 | MBR30H100MFS: 30 A，100 V 肖特基二极管，采用 SO-8FL 封装 | 搜索库存 |
替代型号MBR30H100MFST3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBR30H100MFST3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 488AA | 当前型号 | MBR30H100MFS: 30 A，100 V 肖特基二极管，采用 SO-8FL 封装 | 当前型号 |
| 型号： NRVB30H100MFST1G 品牌： 安森美 封装： Cut | 完全替代 | 30A, 100V Schottky Diode in SO-8FL 30A 100V Schottky Diode | MBR30H100MFST3G和NRVB30H100MFST1G的区别 |
| 型号： NRVB30H100MFST3G 品牌： 安森美 封装： 488AA | 完全替代 | 30A, 100V Schottky Diode in SO-8FL 30A 100V Schottky Diode | MBR30H100MFST3G和NRVB30H100MFST3G的区别 |