MLD2N06CLT4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 62.0 V
额定电流 2.00 A
输出接口数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 62.0 V
漏源击穿电压 62.0 V
栅源击穿电压 ±10.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 3 ns
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 40000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -50℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MLD2N06CLT4G引脚图与封装图
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在线购买MLD2N06CLT4G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MLD2N06CLT4G | ON Semiconductor 安森美 | SMARTDISCRETES TM MOSFET 2安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 2 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAK | 搜索库存 |
替代型号MLD2N06CLT4G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MLD2N06CLT4G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252 N-Channel 62V 2A 400mohms | 当前型号 | SMARTDISCRETES TM MOSFET 2安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 2 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAK | 当前型号 |
| 型号： MLD2N06CLT4 品牌： 安森美 封装： TO-252 | 类似代替 | SMARTDISCRETES TM MOSFET 2安培， 62伏特，逻辑电平N沟道DPAK SMARTDISCRETES TM MOSFET 2 Amp, 62 Volts, Logic Level N−Channel DPAK | MLD2N06CLT4G和MLD2N06CLT4的区别 |
| 型号： IRLR024TRPBF 品牌： 威世 封装： DPAK N-Channel 60V 14A 100mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | MLD2N06CLT4G和IRLR024TRPBF的区别 |