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MJF47G

ON SEMICONDUCTOR  MJF47G  双极性晶体管

- 双极 BJT - 单 NPN 10MHz 通孔 TO-220FP


欧时:
ON Semiconductor, MJF47G


立创商城:
MJF47G


得捷:
TRANS NPN 250V 1A TO220FP


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 250 V, 10 MHz, 40 mW, 1 A, 10 hFE


艾睿:
Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN MJF47G GP BJT from ON Semiconductor. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 250 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 3-Pin3+Tab TO-220 Full-Pak Rail


Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 1A 2000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJF47G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 250 V, 10 Hz, 40 mW, 1 A, 10 hFE


MJF47G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC 250 V

额定电流 1.00 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 40 mW

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.9 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJF47G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MJF47G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJF47G  双极性晶体管 搜索库存
替代型号MJF47G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJF47G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-220 NPN 250V 1A 2000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJF47G  双极性晶体管

当前型号

型号: MJF47

品牌: 安森美

封装: TO-220FP-3 NPN 250V 1A

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