MJE15033G中文资料参数规格
技术参数
频率 30 MHz
额定电压DC -250 V
额定电流 -8.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 50 W
增益频宽积 30 MHz
击穿电压集电极-发射极 250 V
热阻 2.5℃/W RθJC
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 10
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.28 mm
宽度 4.82 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
重量 0.004535924 kg
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Audio, 音频
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJE15033G引脚图与封装图 
MJE15033G引脚图
MJE15033G封装图
MJE15033G封装焊盘图
在线购买MJE15033G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJE15033G | ON Semiconductor 安森美 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 搜索库存 |
替代型号MJE15033G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJE15033G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220-3 PNP -250V -8A 2000mW | 当前型号 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | 当前型号 |
| 型号： MJE15033 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 PNP -250V -8A | 类似代替 | BJT 8A 250V 50W PNP | MJE15033G和MJE15033的区别 |