MJD210RLG中文资料参数规格
技术参数
频率 65 MHz
额定电压DC -25.0 V
额定电流 -5.00 A
针脚数 3
极性 NPN, PNP
耗散功率 12.5 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 45 @2A, 1V
额定功率Max 1.4 W
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
MJD210RLG引脚图与封装图 
MJD210RLG引脚图
MJD210RLG封装焊盘图
在线购买MJD210RLG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MJD210RLG | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MJD210RLG 双极性晶体管, PNP, -25V D-PAK | 搜索库存 |
替代型号MJD210RLG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MJD210RLG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-252 NPN -25V -5A 1400mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MJD210RLG 双极性晶体管, PNP, -25V D-PAK | 当前型号 |
| 型号： MJD210T4 品牌： 安森美 封装： DPAK -25V -5A | 完全替代 | 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors | MJD210RLG和MJD210T4的区别 |
| 型号： MJD210TF 品牌： 安森美 封装： | 完全替代 | Transistor, Bjt, Pnp, 25V vBrCeo, 5A ic, To-252aa | MJD210RLG和MJD210TF的区别 |
| 型号： MJD210T4G 品牌： 安森美 封装： TO-252 PNP -25V -5A 1400mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MJD210T4G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -25 V, 65 MHz, 1.4 W, -5 A, 70 hFE | MJD210RLG和MJD210T4G的区别 |