MPSW51G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSW51G引脚图与封装图
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在线购买MPSW51G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSW51G | ON Semiconductor 安森美 | 一瓦高电流晶体管 One Watt High Current Transistors | 搜索库存 |
替代型号MPSW51G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW51G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -1A | 当前型号 | 一瓦高电流晶体管 One Watt High Current Transistors | 当前型号 |
| 型号： MPSW51 品牌： 安森美 封装： TO-92 30V 1A | 功能相似 | 一瓦高电流晶体管PNP硅 One Watt High Current Transistors PNP Silicon | MPSW51G和MPSW51的区别 |
| 型号： MPSW51RLRAG 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 一瓦高电流晶体管 One Watt High Current Transistors | MPSW51G和MPSW51RLRAG的区别 |