通道数 1
漏源极电阻 70 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 405pF @6VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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MCH6320-TL-E | ON Semiconductor 安森美 | P 通道功率 MOSFET,12V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: MCH6320-TL-E 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: SOT-363-6 P-Channel 12V 3.5A | 当前型号 | P 通道功率 MOSFET,12V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | 当前型号 | |
型号: MCH6331-TL-H 品牌: 安森美 封装: SOT-363-6 | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | MCH6320-TL-E和MCH6331-TL-H的区别 | |
型号: MCH6336-TL-H 品牌: 安森美 封装: SOT-363-6 P-CH 12V 5A | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET,12V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | MCH6320-TL-E和MCH6336-TL-H的区别 | |
型号: MCH6342-TL-H 品牌: 安森美 封装: SOT-363-6 P-CH 30V 4.5A | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor | MCH6320-TL-E和MCH6342-TL-H的区别 |