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MJD32T4G

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors

**DPAK For Surface Mount Applications**

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

**Features**

• Pb−Free Packages are Available

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves “1” Suffix

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel “T4” Suffix

• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series

• Epoxy Meets UL 94, V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V Machine Model, C 400 V

MJD32T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -3.00 A

极性 NPN, PNP

耗散功率 1.56 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD32T4G引脚图与封装图
MJD32T4G引脚图

MJD32T4G引脚图

MJD32T4G封装焊盘图

MJD32T4G封装焊盘图

在线购买MJD32T4G
型号 制造商 描述 购买
MJD32T4G ON Semiconductor 安森美 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors 搜索库存
替代型号MJD32T4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD32T4G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK NPN -40V -3A 1560mW

当前型号

互补功率晶体管 Complementary Power Transistors

当前型号

型号: MJD32RLG

品牌: 安森美

封装: TO-252-3 PNP -40V -3A 1560mW

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品牌: 安森美

封装: DPAK PNP 1560mW

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型号: MJD32CT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 PNP -100V -3A 15000mW

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