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MJE171G

ON SEMICONDUCTOR  MJE171G  晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新

- 双极 BJT - 单 PNP 60 V 3 A 50MHz 1.5 W 通孔 TO-126


得捷:
TRANS PNP 60V 3A TO126


立创商城:
MJE171G


e络盟:
晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Allied Electronics:
Transistor; PNP; 60 VDC; 80 VDC; 7 VDC; 3 Adc; 1 Adc; 105 W @ degC; 10 degC/W


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-225 Bulk


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-225 Bulk


Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJE171G  Bipolar - RF Transistor, PNP, 60 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 50 hFE


Win Source:
TRANS PNP 60V 3A TO225AA


MJE171G中文资料参数规格
技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -3.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

热阻 10℃/W RθJC

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

耗散功率Max 12500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-126-3

外形尺寸

长度 7.8 mm

封装 TO-126-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJE171G引脚图与封装图
MJE171G引脚图

MJE171G引脚图

MJE171G封装焊盘图

MJE171G封装焊盘图

在线购买MJE171G
型号 制造商 描述 购买
MJE171G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  MJE171G  晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新 搜索库存
替代型号MJE171G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJE171G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225 PNP -60V -3A 12500mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  MJE171G  晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新

当前型号

型号: MJE171

品牌: 安森美

封装: TO-225 PNP -60V -3A 105W

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塑料互补硅功率晶体管40 - 60 - 80伏12.5沃茨 Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS

MJE171G和MJE171的区别

型号: 2N4918G

品牌: 安森美

封装: TO-225-3 PNP -40V 1A 30000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  2N4918G  双极晶体管

MJE171G和2N4918G的区别

型号: NTE185

品牌: NTE Electronics

封装: TO-126 PNP 40W

功能相似

NTE ELECTRONICS  NTE185  双极性晶体管, PNP -80V TO-126

MJE171G和NTE185的区别