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MJD45H11T4G

MJD45H11T4G

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PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

PNP 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。


欧时:
ON Semiconductor MJD45H11T4G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 90 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
TRANS PNP 80V 8A DPAK


立创商城:
8 A，80 V，PNP 双极功率晶体管


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Allied Electronics:
ON Semi MJD45H11T4G PNP Bipolar Transistor; 8 A; 80 V; 3-Pin DPAK


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11T4G  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE


Win Source:
TRANS PNP 80V 8A DPAK


DeviceMart:
TRANS PWR PNP 8A 80V DPAK


MJD45H11T4G中文资料参数规格
技术参数

频率 90 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -8.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 8A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.75 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 车用, Signal Processing, Automotive, 信号处理, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD45H11T4G引脚图与封装图
MJD45H11T4G引脚图

MJD45H11T4G引脚图

MJD45H11T4G封装焊盘图

MJD45H11T4G封装焊盘图

在线购买MJD45H11T4G
型号 制造商 描述 购买
MJD45H11T4G ON Semiconductor 安森美 PNP 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 搜索库存
替代型号MJD45H11T4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MJD45H11T4G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： DPAK PNP -80V -8A 1750mW

当前型号

PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

当前型号

型号： MJD45H11RL

品牌： 安森美

封装： DPAK PNP 80V 8A

完全替代

硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORS

MJD45H11T4G和MJD45H11RL的区别

型号： MJD45H11G

品牌： 安森美

封装： DPAK PNP -80V -8A 1750mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11G  单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE

MJD45H11T4G和MJD45H11G的区别

型号： MJD45H11RLG

品牌： 安森美

封装： DPAK PNP -80V -8A 1750mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD45H11RLG  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 40 hFE

MJD45H11T4G和MJD45H11RLG的区别