MVSF2N02ELT1G中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 85 mΩ
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 95 ns
输入电容Ciss 150pF @5VVds
下降时间 125 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MVSF2N02ELT1G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MVSF2N02ELT1G | ON Semiconductor 安森美 | 20V,2.8A,85mOhm,单N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |