MMSD103T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 200 mA
输出电流 ≤200 mA
正向电压 1.25V @200mA
极性 Standard
耗散功率 400 mW
反向恢复时间 50 ns
正向电流 625 mA
正向电压Max 1.25V @200mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOD-123
外形尺寸
长度 2.69 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.12 mm
封装 SOD-123
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMSD103T1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MMSD103T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMSD103T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOD-123 250V 200mA | 当前型号 | 高压开关二极管 High Voltage Switching Diode | 当前型号 |
| 型号： MMSD103T1G 品牌： 安森美 封装： SOD-123 250V 200mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMSD103T1G. 开关二极管, 250V, 200mA, SOD-123 | MMSD103T1和MMSD103T1G的区别 |