MMBT6517LT1G中文资料参数规格
技术参数
频率 200 MHz
额定电压DC 350 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3.04 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
MMBT6517LT1G引脚图与封装图 
MMBT6517LT1G引脚图
MMBT6517LT1G封装焊盘图
在线购买MMBT6517LT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT6517LT1G | ON Semiconductor 安森美 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6517LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE | 搜索库存 |
替代型号MMBT6517LT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT6517LT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 NPN 350V 500mA 300mW | 当前型号 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6517LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE | 当前型号 |
| 型号： MMBT6517LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 350V 500mA | 完全替代 | 高压晶体管（ NPN硅） High Voltage TransistorNPN Silicon | MMBT6517LT1G和MMBT6517LT1的区别 |
| 型号： MMBT6517LT3 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 350V 500mA | 完全替代 | SOT-23 NPN 350V 0.1A | MMBT6517LT1G和MMBT6517LT3的区别 |
| 型号： MMBT6517LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 350V 500mA 300mW | 类似代替 | 高压晶体管 High Voltage Transistor | MMBT6517LT1G和MMBT6517LT3G的区别 |