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MUN5234T1G

MUN5234T1G

数据手册.pdf

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3(SOT323)


得捷:
MUN5234 - NPN BIPOLAR DIGITAL TR


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5234T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.47 Ratio, SC-70


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3


MUN5234T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.31 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MUN5234T1G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MUN5234T1G ON Semiconductor 安森美 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor 搜索库存
替代型号MUN5234T1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN5234T1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW

当前型号

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

当前型号

型号: MUN5234T1

品牌: 安森美

封装: SOT-323 NPN 50V 100mA

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