MC100EP11DR2GH中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
电路数 1
最大占空比 50 %
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MC100EP11DR2GH引脚图与封装图 
MC100EP11DR2GH引脚图
MC100EP11DR2GH封装图
MC100EP11DR2GH封装焊盘图
在线购买MC100EP11DR2GH
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC100EP11DR2GH | ON Semiconductor 安森美 | Clock Buffer 4Out 8Pin SOIC T/R | 搜索库存 |
替代型号MC100EP11DR2GH
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC100EP11DR2GH 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC | 当前型号 | Clock Buffer 4Out 8Pin SOIC T/R | 当前型号 |
| 型号： MC100EP11DR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC 8Pin 3V 2Output | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MC100EP11DR2G 芯片, 缓冲器, ECL 1:2 差分扇出 | MC100EP11DR2GH和MC100EP11DR2G的区别 |