MUN5134T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 202 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN5134T1G引脚图与封装图
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在线购买MUN5134T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5134T1G | ON Semiconductor 安森美 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 搜索库存 |
替代型号MUN5134T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5134T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
| 型号： MMUN2134LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW | 类似代替 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | MUN5134T1G和MMUN2134LT1G的区别 |
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