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MSC3930-BT1

MSC3930-BT1

数据手册.pdf

NPN射频晶体管放大器 NPN RF Amplifier Transistor

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 30mA 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 70~140 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| NPN RF Amplifier Transistor • Pb−Free Package is Available 描述与应用| NPN射频放大器 •无铅包装是可用

MSC3930-BT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 30.0 mA

击穿电压集电极-发射极 20 V

最小电流放大倍数hFE 70 @1mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MSC3930-BT1引脚图与封装图
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