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MMUN2134LT1G

MMUN2134LT1G

数据手册.pdf

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

双电阻器数字 PNP ,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3


立创商城:
MMUN2134LT1G


欧时:
### 双电阻器数字 PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.47 电阻比率


艾睿:
In contrast to traditional transistors, ON Semiconductor&s;s PNP MMUN2134LT1G digital transistor&s;s can be used in a wide variety of digital signal processing circuits. This product&s;s maximum continuous DC collector current is 100 mA, while its minimum DC current gain is 80@5mA@10 V. It has a maximum collector emitter saturation voltage of 0.25@1mA@10mA V. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V. Its maximum power dissipation is 400 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It is made in a single configuration. This transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Allied Electronics:
MMUN2134LT1G PNP Digital Transistor, 100mA 50VDC 22 kOhm, Ratio Of.47, 3-Pin SOT-23


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 246mW; SOT23; R1:22kΩ


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMUN2134LT1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.47 Ratio, SOT-23


Win Source:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3


MMUN2134LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 246 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.01 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMUN2134LT1G引脚图与封装图
MMUN2134LT1G引脚图

MMUN2134LT1G引脚图

MMUN2134LT1G封装焊盘图

MMUN2134LT1G封装焊盘图

在线购买MMUN2134LT1G
型号 制造商 描述 购买
MMUN2134LT1G ON Semiconductor 安森美 PNP 晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管,On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 搜索库存
替代型号MMUN2134LT1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMUN2134LT1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 400mW

当前型号

PNP 晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

当前型号

型号: MMUN2134LT1

品牌: 安森美

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA

类似代替

MMUN2134LT1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 130 0.4W/400mW SOT-23/SC-59 标记A6L 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

MMUN2134LT1G和MMUN2134LT1的区别

型号: MUN5134T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -50V -100mA 310mW

类似代替

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MMUN2134LT1G和MUN5134T1G的区别

型号: PDTA124XT

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 PNP 250mW

功能相似

NXP  PDTA124XT  单晶体管 双极, BRT, PNP, 50 V, 250 mW, 100 mA, 80 hFE

MMUN2134LT1G和PDTA124XT的区别