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IPP60R165CPXKSA1

IPP60R165CPXKSA1

数据手册.pdf

INFINEON  IPP60R165CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™CP 功率 MOSFET


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R165CPXKSA1, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin3+Tab TO-220


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Newark:
# INFINEON  IPP60R165CPXKSA1  Power MOSFET, N Channel, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V


IPP60R165CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 21.0 A

额定功率 192 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 192 W

阈值电压 3 V

输入电容 2.00 nF

栅电荷 52.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2000pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 192W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 工业, Alternative Energy, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, 替代能源, 消费电子产品, Consumer Electronics

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP60R165CPXKSA1引脚图与封装图
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IPP60R165CPXKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP60R165CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存