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IPD50R3K0CEBTMA1

IPD50R3K0CEBTMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET

N-Channel 500V 1.7A Tc 18W Tc Surface Mount PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3


欧时:
### Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The IPD50R3K0CEBTMA1 power MOSFET from Infineon Technologies provides the solution. Its maximum power dissipation is 18000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes coolmos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-252 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.7A; 18W; PG-TO252-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252


IPD50R3K0CEBTMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 18 W

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 26 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 5.8 ns

输入电容Ciss 84pF @100VVds

额定功率Max 18 W

下降时间 49 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 18W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD50R3K0CEBTMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号IPD50R3K0CEBTMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD50R3K0CEBTMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 550V 1.7A

当前型号

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET

当前型号

型号: IPD50R3K0CEAUMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 500V 2.6A

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