通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 11 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 600 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 140 A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 4700pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-2
宽度 14 mm
封装 TO-268-2
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFT140N10P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFT140N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268 N-Channel 140A | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFT140N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 100 V, 11 mohm, 15 V, 5 V | 当前型号 | |
型号: IXFH140N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 完全替代 | N沟道 100V 140A | IXFT140N10P和IXFH140N10P的区别 | |
型号: IXTT140N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 N-CH 100V 140A | 功能相似 | IXTT 系列 单通道 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268 | IXFT140N10P和IXTT140N10P的区别 | |
型号: IXTQ140N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 N-CH 100V 140A | 功能相似 | IXTQ 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-3P | IXFT140N10P和IXTQ140N10P的区别 |