IXGR35N120B
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR35N120B中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
上升时间 160 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXGR35N120B引脚图与封装图
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在线购买IXGR35N120B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGR35N120B | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXGR35N120B IGBT Single Transistor, 70A, 3.3V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins | 搜索库存 |
替代型号IXGR35N120B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGR35N120B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 200000mW | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXGR35N120B IGBT Single Transistor, 70A, 3.3V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins | 当前型号 |
| 型号： IXA55I1200HJ 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD 290000mW | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA55I1200HJ 单晶体管, IGBT, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 | IXGR35N120B和IXA55I1200HJ的区别 |