IXA55I1200HJ、IXGR35N120B对比区别

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型号 IXA55I1200HJ IXGR35N120B

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXA55I1200HJ  单晶体管, IGBT, 84 A, 2.1 V, 290 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚IXYS SEMICONDUCTOR IXGR35N120B IGBT Single Transistor, 70A, 3.3V, 200W, 1.2kV, TO-247AD, 3Pins

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247 ISOPLUS-247

极性 - N-Channel

耗散功率 290 W 200 W

上升时间 - 160 ns

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V

额定功率(Max) 290 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 290 W 200000 mW

针脚数 3 -

高度 21.34 mm 21.34 mm

封装 TO-247 ISOPLUS-247

长度 16.13 mm -

宽度 5.21 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 -