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IXGR60N60B2D1

IXGR60N60B2D1

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR60N60B2D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚

IGBT PT 600V 75A 250W Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247


e络盟:
IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR60N60B2D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab PLUS 247


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXGR60N60B2D1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

上升时间 100 ns

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 35 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

IXGR60N60B2D1引脚图与封装图
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在线购买IXGR60N60B2D1
型号 制造商 描述 购买
IXGR60N60B2D1 IXYS Semiconductor IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR60N60B2D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚 搜索库存
替代型号IXGR60N60B2D1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXGR60N60B2D1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247AD 250W

当前型号

IXYS SEMICONDUCTOR  IXGR60N60B2D1  单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚

当前型号

型号: IXGR72N60B3H1

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOPLUS247 200000mW

类似代替

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 200000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR60N60B2D1和IXGR72N60B3H1的区别

型号: IRGP4069DPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL 268000mW

功能相似

Co-Pack IGBT 超过 21A,InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 IGBT 为用户提供完整系列选项,以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用,且由于具有低切换损耗,可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管,用于桥式配置 ### IGBT 晶体管,International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。

IXGR60N60B2D1和IRGP4069DPBF的区别

型号: IRGP4650DPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL 268000mW

功能相似

INFINEON  IRGP4650DPBF  单晶体管, IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚

IXGR60N60B2D1和IRGP4650DPBF的区别