IXGR60N60B2D1、IXGR72N60B3H1、IRGP4069DPBF对比区别
型号 IXGR60N60B2D1 IXGR72N60B3H1 IRGP4069DPBF
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60B2D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 75 A, 2 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 200000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Co-Pack IGBT 超过 21A，InfineonInfineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定功率 - - 268 W
针脚数 3 - 3
耗散功率 250 W 200000 mW 268 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 35 ns 140 ns 120 ns
额定功率(Max) 250 W 200 W 268 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200000 mW 268 W
极性 N-Channel - -
上升时间 100 ns - -
长度 - - 15.87 mm
宽度 - - 5.31 mm
高度 - - 20.7 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99