EMC3DXV5T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 357 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 35
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-553-5
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-553-5
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 -
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
EMC3DXV5T1G引脚图与封装图
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在线购买EMC3DXV5T1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| EMC3DXV5T1G | ON Semiconductor 安森美 | ON Semiconductor ### 数字晶体管，On Semiconductor 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |
替代型号EMC3DXV5T1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： EMC3DXV5T1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-553 NPN PNP 50V 100mA 500mW | 当前型号 | ON Semiconductor### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 当前型号 |
| 型号： EMC3DXV5T1 品牌： 安森美 封装： SOT-553 NPN+PNP 50V 100mA | 完全替代 | 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | EMC3DXV5T1G和EMC3DXV5T1的区别 |
| 型号： EMC3DXV5T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-553 NPN PNP 50V 100mA 500mW | 类似代替 | 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network | EMC3DXV5T1G和EMC3DXV5T5G的区别 |
| 型号： EMC3DXV5T5 品牌： 安森美 封装： SOT-553 NPN PNP 50V 100mA | 类似代替 | EMC3DXV5T5 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 60 500mW/0.5W SOT-563 标记U3K 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 | EMC3DXV5T1G和EMC3DXV5T5的区别 |