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CSD87503Q3ET

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TI(德州仪器) 电子元器件分类

双路场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0135 ohm, 10 V, 1.7 V

MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共源 30V 10A(Ta) 15.6W 表面贴装型 8-VSON(3.3x3.3)


立创商城:
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德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common source SON 3 mm x 3 mm, 21.9 mOhm


得捷:
30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 10 A, 0.0135 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin VSON EP T/R


CSD87503Q3ET中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0135 Ω

耗散功率 2.6 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1020pF @15VVds

额定功率Max 15.6 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON EP-8

外形尺寸

封装 VSON EP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

CSD87503Q3ET引脚图与封装图
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