BS170RL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350mW Ta
输入电容 60.0 pF
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
输入电容Ciss 60pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BS170RL1G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BS170RL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BS170RL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 60V 500mA 5ohms 60pF | 当前型号 | 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V | BS170RL1G和2N7002LT1G的区别 |
| 型号： 2N7002LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 60V 115mA 7.5ohms 50pF | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor | BS170RL1G和2N7002LT3G的区别 |
| 型号： BS170 品牌： 安森美 封装： TO-92 N-Channel 500mA 5Ω 60pF | 类似代替 | 小信号N沟道TO-92-3封装场效应管 | BS170RL1G和BS170的区别 |