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CBR04C209B1GAC

CBR04C209B1GAC

数据手册.pdf
KEMET Corporation(基美) 电子元器件分类

射频电容, C0G / NP0, 2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

2 pF ±0.1pF 100V 陶瓷器 C0G,NP0 0402(1005 公制)


立创商城:
2pF ±0.1pF 100V


得捷:
CAP CER 2PF 100V C0G/NP0 0402


e络盟:
射频电容, C0G / NP0, 2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]


艾睿:
Cap Ceramic 2pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125°C Low ESR Medical T/R


Verical:
Cap Ceramic 2pF 100V C0G 0.1pF Pad SMD 0402 125C Low ESR Medical T/R


CBR04C209B1GAC中文资料参数规格
技术参数

电容 2 PF

容差 ±0.1 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

额定电压 100 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 1005

封装 0402

外形尺寸

长度 1.00 mm

宽度 0.5 mm

高度 0.5 mm

封装公制 1005

封装 0402

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 RF,微波,高频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CBR04C209B1GAC引脚图与封装图
CBR04C209B1GAC引脚图

CBR04C209B1GAC引脚图

在线购买CBR04C209B1GAC
型号 制造商 描述 购买
CBR04C209B1GAC KEMET Corporation 基美 射频电容, C0G / NP0, 2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制] 搜索库存
替代型号CBR04C209B1GAC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CBR04C209B1GAC

品牌: KEMET Corporation 基美

封装: 0402

当前型号

射频电容, C0G / NP0, 2 pF, 100 V, HiQ-CBR Series, ± 0.1pF, 125 °C, 0402 [1005公制]

当前型号

型号: CBR04C209A1GAC

品牌: 基美

封装: 0402

类似代替

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品牌: 松下

封装: 0402 2pF 25V

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封装:

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