
额定电压DC 50 V
绝缘电阻 10 GΩ
电容 0.47 µF
容差 ±10 %
产品系列 High Frequency
额定电压 50 V
安装方式 Surface Mount
封装公制 2012
封装 0805
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1.25 mm
封装公制 2012
封装 0805
厚度 1.25 mm
材质 X7R/-55℃~+125℃
工作温度 -55℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2000
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

CL21B474KBFNFNE引脚图

CL21B474KBFNFNE封装图

CL21B474KBFNFNE封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CL21B474KBFNFNE | Samsung 三星 | CL21 系列 0805 0.47 uF 50V ±10% X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CL21B474KBFNFNE 品牌: Samsung 三星 封装: 0805(2012 470nF 50V ±10% | 当前型号 | CL21 系列 0805 0.47 uF 50V ±10% X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | 当前型号 | |
型号: CL21B474KBFNNNG 品牌: 三星 封装: 08052012 470nF 50V 10per | 类似代替 | Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 NiSn 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的温度补偿方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为温度稳定陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。 | CL21B474KBFNFNE和CL21B474KBFNNNG的区别 | |
型号: CL21B474KBF4PNE 品牌: 三星 封装: 0805(2012 470nF 50V ±10% | 类似代替 | CL21 系列 0805 470 nF 50 V ±10 % X7R 表面贴装 多层陶瓷电容 | CL21B474KBFNFNE和CL21B474KBF4PNE的区别 | |
型号: CL21B474KBF4PNG 品牌: 三星 封装: 0805 | 类似代替 | Samsung 0805 MLCC seriesGeneral Multilayer Ceramic Chip CapacitorsHighly reliable tolerance and high speed automatic chip placement on PCBs Wide capacitance range Wide temperature compensation and voltage range: from C0G to Y5V and from 6.3V to 50V Highly reliable performance Highly resistant termination metal Applications include: HHP, DSC, DVC, LCD, TV, Memory Module, PDA, Game Machine; Tuner Product code C is suitable. For using special purpose like Military, Medical, Aviation, Automobile device should be following a special specification ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 NiSn 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是温度补偿的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为温度稳定陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。 | CL21B474KBFNFNE和CL21B474KBF4PNG的区别 |