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CS8312YDR8

CS8312YDR8

数据手册.pdf

IGBT点火预驱动器 IGBT Ignition Predriver

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


CS8312YDR8中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V max

输出接口数 1

电源电压 7V ~ 10V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CS8312YDR8引脚图与封装图
CS8312YDR8引脚图

CS8312YDR8引脚图

CS8312YDR8封装图

CS8312YDR8封装图

CS8312YDR8封装焊盘图

CS8312YDR8封装焊盘图

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CS8312YDR8 ON Semiconductor 安森美 IGBT点火预驱动器 IGBT Ignition Predriver 搜索库存
替代型号CS8312YDR8
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CS8312YDR8

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: Surface 10V 8Pin

当前型号

IGBT点火预驱动器 IGBT Ignition Predriver

当前型号

型号: CS8312YD8

品牌: 安森美

封装: SOP

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