CD4012BM96E4
TI(德州仪器)
主动器件
CD4012BM96E4中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.00V ~ 18.0V
输出接口数 1
输出电流 6.80 mA
电路数 2
位数 2
传送延迟时间 250 ns
电压波节 5.00 V, 10.0 V, 15.0 V
逻辑门个数 2
输出电流驱动 -1.00 mA
输入数 4
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
电源电压 3V ~ 18V
电源电压Max 18 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 14
封装 SOIC-14
外形尺寸
宽度 3.91 mm
封装 SOIC-14
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CD4012BM96E4引脚图与封装图 
CD4012BM96E4引脚图
CD4012BM96E4封装图
CD4012BM96E4封装焊盘图
在线购买CD4012BM96E4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CD4012BM96E4 | TI 德州仪器 | CMOS非门 CMOS NAND GATES | 搜索库存 |
替代型号CD4012BM96E4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CD4012BM96E4 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 3V to 18V 14Pin | 当前型号 | CMOS非门 CMOS NAND GATES | 当前型号 |
| 型号： CD4012BMT 品牌： 德州仪器 封装： 14SOIC 3V to 18V 14Pin | 完全替代 | CMOS非门 CMOS NAND GATES | CD4012BM96E4和CD4012BMT的区别 |
| 型号： CD4012BMG4 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 2Bit 3V to 18V 14Pin | 完全替代 | 逻辑门 CMOS Dual 4-Input NAND Gate | CD4012BM96E4和CD4012BMG4的区别 |