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BSS123-7-F

BSS123-7-F

数据手册.pdf
Diodes(美台) 分立器件

三极管

三极管


得捷:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3


立创商城:
N沟道 100V 170mA


贸泽:
MOSFET 100V 360mW


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Thanks to Diodes Zetex, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the BSS123-7-F power MOSFET. Its maximum power dissipation is 300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes tmos technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 1.4 V


儒卓力:
**N-CH MOS-FET 0,17A 100V SOT23 **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3


BSS123-7-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 170 mA

额定功率 0.3 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 1.4 V

输入电容 60 pF

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 170 mA

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 300 mW

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

重量 0.0001279130568 kg

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Motor Drive & Control, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSS123-7-F引脚图与封装图
BSS123-7-F引脚图

BSS123-7-F引脚图

BSS123-7-F封装图

BSS123-7-F封装图

BSS123-7-F封装焊盘图

BSS123-7-F封装焊盘图

在线购买BSS123-7-F
型号 制造商 描述 购买
BSS123-7-F Diodes 美台 三极管 搜索库存
替代型号BSS123-7-F
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS123-7-F

品牌: Diodes 美台

封装: SOT-23 N-Channel 100V 170mA 10Ω

当前型号

三极管

当前型号

型号: 2N7002K-7

品牌: 美台

封装: SOT-23 N-Channel 60V 300mA

类似代替

2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3

BSS123-7-F和2N7002K-7的区别

型号: BS250FTA

品牌: 美台

封装: SOT-23 P-Channel 45V 90mA 14Ω

类似代替

BS250FTA 编带

BSS123-7-F和BS250FTA的区别

型号: DMN601K-7

品牌: 美台

封装: SOT-23 N-Channel 60V 300mA

类似代替

·低导通电阻RDS(ON)·低栅极阈值电压·低输入电容·开关速度快·低输入/输出漏·无铅设计/ RoHS规定(注2)·ESD保护高达2kV·“绿色”设备(注4)

BSS123-7-F和DMN601K-7的区别