制造商型号: | BSS123-7-F |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
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客服: | |
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DIODES(美台) BSS123-7-F

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BSS123-7-F 中文资料
数据手册PDF
BSS123-7-F 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 170 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 0.08 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode Field Effect Transistor
单位重量 8 mg
BSS123-7-F 引脚图与封装图

BSS123-7-F引脚图

BSS123-7-F封装图

BSS123-7-F封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 0.244778 | 734.33 |
6000 | 0.221638 | 1329.83 |
9000 | 0.20963 | 1886.67 |
15000 | 0.196122 | 2941.83 |
21000 | 0.187991 | 3947.81 |
品牌其他型号
BSS123-7-F品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
,可在锐单商城现货采购BSS123-7-F、查询BSS123-7-F代理商; BSS123-7-F价格批发咨询客服;这里拥有
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