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BCX19LT1

通用晶体管 General Purpose Transistors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 620mV/0.62V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors Features • Pb−Free Package is Available 描述与应用| 通用 (PNP晶体管负电压和电流) 特点 •无铅包装是可用

BCX19LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BCX19LT1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCX19LT1 ON Semiconductor 安森美 通用晶体管 General Purpose Transistors 搜索库存
替代型号BCX19LT1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCX19LT1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 500mA

当前型号

通用晶体管 General Purpose Transistors

当前型号

型号: BCX19LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 500mA 0.3W

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BCX19LT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 225 mW, 500 mA, 40 hFE

BCX19LT1和BCX19LT1G的区别

型号: BCX19

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 NPN 45V 500mA 300mW

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCX19..  晶体管, NPN

BCX19LT1和BCX19的区别

型号: BCX19,215

品牌: 安世

封装:

功能相似

Nexperia BCX19,215 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:70, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

BCX19LT1和BCX19,215的区别