BC848CLT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 225 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC848CLT1引脚图与封装图
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在线购买BC848CLT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC848CLT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC848CLT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： BC847ALT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC848CLT1和BC847ALT1G的区别 |
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