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BUK9E4R9-60E,127

BUK9E4R9-60E,127

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

I2PAK N-CH 60V 100A

* AEC Q101 compliant * Repetitive avalanche rated * Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating * True logic level gate with VGSth rating of greater than 0.5V at 175 °C


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin3+Tab I2PAK Rail


安富利:
Logic level N-channel MOSFET in a SOT226 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high performance automotive applications.


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V I2PAK


BUK9E4R9-60E,127中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 234W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 9710pF @25VVds

额定功率Max 234 W

耗散功率Max 234W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Exempt

含铅标准 无铅

BUK9E4R9-60E,127引脚图与封装图
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