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BUL45D2G

BUL45D2G

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ON SEMICONDUCTOR  BUL45D2G  射频双极性晶体管

Jump-start your electronic circuit design with this versatile NPN GP BJT from . This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 12 V. Its maximum power dissipation is 75000 mW. This product comes in rail packaging to keep individual parts separated and protected. It has a maximum collector emitter voltage of 400 V and a maximum emitter base voltage of 12 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

BUL45D2G中文资料参数规格
技术参数

频率 12 MHz

额定电压DC 700 V

额定电流 5.00 A

额定功率 75 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 75 W

增益频宽积 13 MHz

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 10 @2A, 1V

最大电流放大倍数hFE 34

额定功率Max 75 W

直流电流增益hFE 32

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.53 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

BUL45D2G引脚图与封装图
BUL45D2G引脚图

BUL45D2G引脚图

BUL45D2G封装焊盘图

BUL45D2G封装焊盘图

在线购买BUL45D2G
型号 制造商 描述 购买
BUL45D2G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BUL45D2G  射频双极性晶体管 搜索库存
替代型号BUL45D2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BUL45D2G

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO220-3 NPN 700V 5A 75000mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BUL45D2G  射频双极性晶体管

当前型号

型号： BUL45D2

品牌： 安森美

封装： TO-220-3 NPN 700V 5A

完全替代

功率晶体管5安培700伏75瓦 POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 700 VOLTS 75 WATTS

BUL45D2G和BUL45D2的区别

型号： 2SD526

品牌： 东芝

封装：

功能相似

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATIONS

BUL45D2G和2SD526的区别

型号： BUH50

品牌： 摩托罗拉

封装：

功能相似

POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50W

BUL45D2G和BUH50的区别