2SJ648-T1-A
数据手册.pdf
Renesas Electronics
瑞萨电子
分立器件
2SJ648-T1-A中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1.45 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 0.2 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -400 mA to 400 mA
上升时间 39 ns
输入电容Ciss 29pF @10VVds
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
引脚数 3
封装 SC-75
外形尺寸
封装 SC-75
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SJ648-T1-A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2SJ648-T1-A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2SJ648-T1-A | Renesas Electronics 瑞萨电子 | SC-75P-CH 20V 0.4A | 搜索库存 |