2SK880GRTE85LF
数据手册.pdfToshiba(东芝)
分立器件
2SK880GRTE85LF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100 mW
击穿电压 50 V
输入电容Ciss 13pF @10VVds
额定功率Max 100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323
外形尺寸
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
2SK880GRTE85LF引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| 2SK880GRTE85LF | Toshiba 东芝 | JFET N-CH 50V 0.1W1/10W USM | 搜索库存 |