2N7002WT3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 280 mW
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.31A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 24.5pF @20VVds
额定功率Max 280 mW
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N7002WT3G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买2N7002WT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002WT3G | ON Semiconductor 安森美 | SC-70 N-CH 60V 0.31A | 搜索库存 |
替代型号2N7002WT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N7002WT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 N-CH 60V 0.31A | 当前型号 | SC-70 N-CH 60V 0.31A | 当前型号 |
| 型号： 2N7002WT1G 品牌： 安森美 封装： SC-70 N-Channel 60V 340mA | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR 2N7002WT1G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷 | 2N7002WT3G和2N7002WT1G的区别 |